標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | 2 N 溝道(半橋) |
FET 特點(diǎn) : | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 1000V (1kV) |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 65A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 156 毫歐 @ 32.5A, 10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) : | 5V @ 6mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 562nC @ 10V |
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) : | 15200pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 1250W |
安裝類(lèi)型 : | 底座安裝 |
封裝/外殼 : | SP6 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | SP6 |
包裝 : | 散裝 |