標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 10 |
系列 : | POWER MOS 7® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點 : | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 800V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 29A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 260 毫歐 @ 14.5A, 10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大) : | 5V @ 2.5mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 160nC @ 10V |
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) : | 4670pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 460W |
安裝類型 : | 底座安裝 |
封裝/外殼 : | SOT-227-4,miniBLOC |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | ISOTOP® |
包裝 : | 管件 |