半導(dǎo)體模塊 - IGBT - Microsemi Power Products Group - APT35GP120JDQ2 - IGBT 1200V 64A 284W SOT227
PDF查詢| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | SOT-227 Top |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 10 |
| 系列 ： | POWER MOS 7® |
| IGBT 類型 ： | PT |
| 配置 ： | 單一 |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） ： | 1200V |
| Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開） ： | 3.9V @ 15V, 35A |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大） ： | 64A |
| 電流 - 集電極截止（最大） ： | 350µA |
| Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies) ： | 3.24nF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 284W |
| 輸入 ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| NTC 熱敏電阻 ： | 無 |
| 安裝類型 ： | 底座安裝 |
| 封裝/外殼 ： | ISOTOP |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | ISOTOP® |
