標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 1 |
系列 : | aMOS™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點 : | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 160 毫歐 @ 13.5A, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 600V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 27A |
Id 時的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 26nC @ 10V |
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) : | 1294pF @ 100V |
功率 - 最大 : | 357W |
安裝類型 : | 表面貼裝 |
封裝/外殼 : | TO-263-3, D²Pak (2 引線+接片), TO-263AB |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | TO-263 (D2Pak) |
包裝 : | 剪切帶 (CT) |