其它圖紙 : | AO4xxx Series 8-SOIC Top AO4xxx Series 8-SOIC End AO4xxx Series 8-SOIC Side |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 15A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 7.5 毫歐 @ 15A, 10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) : | 1.6V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 120nC @ 10V |
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) : | 6600pF @ 15V |
功率 - 最大 : | 3.1W |
安裝類型 : | 表面貼裝 |
封裝/外殼 : | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | 8-SOIC |
包裝 : | 剪切帶 (CT) |