分離式半導(dǎo)體 - MOSFETs - 陣列 - Advanced Linear Devices Inc - ALD110808ASCL - MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 48 |
| 系列 ： | EPAD® |
| FET 型 ： | 4 N 通道（半橋） |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 500 歐姆 @ 4.8V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 10.6V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 12mA |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 820mV @ 1µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | - |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | - |
| 功率 - 最大 ： | 500mW |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 16-SOIC (0.154", 3.90mm 寬) |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 16-SOIC |
| 包裝 ： | 管件 |
