分離式半導(dǎo)體 - MOSFETs - 陣列 - Advanced Linear Devices Inc - ALD1106PBL - MOSFET 4N-CH 13.2V QUAD 14PDIP
PDF查詢(xún)| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 50 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | 4 N 通道（半橋） |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 350 歐姆 @ 5V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 13.2V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 4.8mA |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 1V @ 1µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | - |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | - |
| 功率 - 最大 ： | 500mW |
| 安裝類(lèi)型 ： | 通孔 |
| 封裝/外殼 ： | 14-DIP（0.300", 7.62mm） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 14-PDIP |
| 包裝 ： | 管件 |
