標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 二極管(隔離式) |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 2A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 180 毫歐 @ 1.5A, 4.5V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) : | 700mV @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 2.9nc @ 4.5V |
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) : | 314pF @ 15V |
功率 - 最大 : | 1W |
安裝類型 : | 表面貼裝 |
封裝/外殼 : | 8-MLP |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | 8-MLP, MicroFET (3x2) |
包裝 : | 剪切帶 (CT) |