分離式半導體 - MOSFET - 單 - Diodes/Zetex - ZXMN10A11GTA - MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
PDF查詢| 其它圖紙 ： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 標準包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 350 毫歐 @ 2.6A, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 1.7A |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 5.4nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 274pF @ 50V |
| 功率 - 最大 ： | 2W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-261-4, TO-261AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | SOT-223 |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
