分離式半導體 - MOSFETs - 陣列 - Diodes Inc - ZXMHC6A07N8TC - MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC
PDF查詢| 標準包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | 2 個 N 通道和 2 個 P 通道（H 橋式） |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 250 毫歐 @ 1.8A, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 1.39A, 1.28A |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 3.2nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 166pF @ 40V |
| 功率 - 最大 ： | 870mW |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 寬) |
| 供應商設備封裝 ： | 8-SOP |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
