分離式半導(dǎo)體 - MOSFETs - 陣列 - Diodes Inc - ZXMHC10A07N8TC - MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | 2 個 N 通道和 2 個 P 通道（H 橋式） |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 700 毫歐 @ 1.5A, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 800mA, 680mA |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 2.9nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 138pF @ 60V |
| 功率 - 最大 ： | 870mW |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 寬) |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 8-SOP |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
