標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 2,000 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 邏輯電平門(mén) |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 200V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 110mA |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 32 歐姆 @ 125mA, 10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) : | 3.5V @ 1mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | - |
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) : | 100pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 700mW |
安裝類(lèi)型 : | 通孔 |
封裝/外殼 : | TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | TO-92-3 |
包裝 : | 散裝 |