標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn) : | 邏輯電平門(mén) |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 40V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 110A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 1.8 毫歐 @ 55A, 10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大) : | - |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 260nC @ 10V |
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) : | 17700pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 1.5W |
安裝類(lèi)型 : | 表面貼裝 |
封裝/外殼 : | TO-263-3, D²Pak (2 引線+接片), TO-263AB |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | TO-263 |
包裝 : | 剪切帶 (CT) |