分離式半導(dǎo)體 - JFET 結(jié)點(diǎn)場效應(yīng) - ON Semiconductor - 2SK3666-2-TB-E - IC JFET N-CH 30V 10MA CP
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 3,000 |
| 系列 ： | - |
| 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0) ： | 600µA @ 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 30V |
| 漏極電流 (Id) - 最大 ： | 10mA |
| FET 型 ： | N 溝道 |
| 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS) ： | - |
| 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id ： | 180mV @ 1µA |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 4pF @ 10V |
| 電阻 - RDS（開） ： | 200 歐姆 |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
| 封裝/外殼 ： | 3-SMD, 鷗翼型 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 3-CP |
| 功率 - 最大 ： | 200mW |
