分離式半導體 - MOSFET - 單 - Toshiba - 2SK2607 - MOSFET N-CH 800V 9A TO-3PN
PDF查詢| 標準包裝 ： | 3,000 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 標準型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 800V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 9A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 1.2 歐姆 @ 4A, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 68nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 2160pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 150W |
| 安裝類型 ： | 通孔 |
| 封裝/外殼 ： | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供應商設備封裝 ： | TO-3P(N) |
| 包裝 ： | 管件 |
