分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Toshiba - 2SK2312 - MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 50 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 45A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 17 毫歐 @ 25A, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 2V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 110nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 3350pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 45W |
| 安裝類型 ： | 通孔 |
| 封裝/外殼 ： | TO-220-3 整包 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | TO-220NIS |
| 包裝 ： | 管件 |
