分離式半導體 - MOSFET - 單 - Renesas Electronics America/NEC - 2SJ621-T1B-AT - MOSFET P-CH 12V SC-96 SOT-23
PDF查詢| 標準包裝 ： | 3,000 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 44 毫歐 @ 2A, 4.5V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 12V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 3.5A |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 1.5V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 6.2nC @ 4V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 630pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 1.25W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | SC-96 |
| 供應商設備封裝 ： | SC-96-3，薄型迷你型塑模 |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
