分離式半導(dǎo)體 - JFET 結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng) - Panasonic - SSG - 2SJ01640RA - JFET P-CH 65V 20MA NS-B1
PDF查詢(xún)| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0) ： | 600µA @ 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | - |
| 漏極電流 (Id) - 最大 ： | 20mA |
| FET 型 ： | P 溝道 |
| 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS) ： | - |
| 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id ： | 1.5V @ 10µA |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 10pF @ 10V |
| 電阻 - RDS（開(kāi)） ： | 300 歐姆 |
| 安裝類(lèi)型 ： | 通孔 |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
| 封裝/外殼 ： | 3-SIP |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | NS-A1 |
| 功率 - 最大 ： | 300mW |
