半導體模塊 - FET - IXYS - VMO550-01F - MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
PDF查詢| 標準包裝 ： | 2 |
| 系列 ： | HiPerFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 標準型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 590A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 2.1 毫歐 @ 500mA, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 6V @ 110mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 2000nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 50000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 2200W |
| 安裝類型 ： | 底座安裝 |
| 封裝/外殼 ： | Y3-DCB |
| 供應商設備封裝 ： | Y3-DCB |
| 包裝 ： | 散裝 |
