半導(dǎo)體模塊 - FET - IXYS - VMO1600-02P - MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 2 |
| 系列 ： | PolarHT™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 200V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 1900A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 1.65 毫歐 @ 1600A, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 5V @ 5mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 2900nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | - |
| 功率 - 最大 ： | - |
| 安裝類型 ： | 底座安裝 |
| 封裝/外殼 ： | Y3-Li |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | Y3-Li |
| 包裝 ： | 托盤 |
