標(biāo)準(zhǔn)包裝 : | 6 |
系列 : | HiPerFET™ |
FET 型 : | 2 個 N 溝道(雙) |
FET 特點 : | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 200V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 84A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 25 毫歐 @ 500mA, 10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 8mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 450nC @ 10V |
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) : | 15000pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 370W |
安裝類型 : | 底座安裝 |
封裝/外殼 : | Y4 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | Y4 |
包裝 : | 散裝 |