分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Vishay Siliconix - 2N7002E-T1-GE3 - MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
PDF查詢| 標準包裝 ： | 3,000 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 240mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 3 歐姆 @ 250mA, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 0.6nC @ 4.5V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 21pF @ 5V |
| 功率 - 最大 ： | 350mW |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | TO-236 |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
