產(chǎn)品變化通告 : | Encapsulate Change 15/May/2008 Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
標準包裝 : | 3,000 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點 : | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 240mA |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 3 歐姆 @ 250mA, 10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大) : | 2.5V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | - |
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) : | 50pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 300mW |
安裝類型 : | 表面貼裝 |
封裝/外殼 : | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | SOT-23-3 |
包裝 : | 帶卷 (TR) |