分離式半導(dǎo)體 - MOSFETs - 陣列 - Infineon Technologies - 2N7002DW H6327 - MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
PDF查詢(xún)| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 3,000 |
| 系列 ： | * |
| FET 型 ： | 2 個(gè) N 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn) ： | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 300mA |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 3 歐姆 @ 500mA, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 0.6nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 20pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 500mW |
| 安裝類(lèi)型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | PG-SOT363-6 |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
