分離式半導(dǎo)體 - JFET 結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng) - ON Semiconductor - 2N5639 - TRANSISTOR JFET N-CH 30V TO-92
PDF查詢| 產(chǎn)品變化通告 ： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1,000 |
| 系列 ： | - |
| 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0) ： | 25mA @ 20V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 30V |
| 漏極電流 (Id) - 最大 ： | - |
| FET 型 ： | N 溝道 |
| 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS) ： | 35V |
| 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id ： | - |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 10pF @ 12V (VGS) |
| 電阻 - RDS（開(kāi)） ： | 60 歐姆 |
| 安裝類(lèi)型 ： | 通孔 |
| 包裝 ： | 散裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 ： | 310mW |
