標準包裝 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點 : | 邏輯電平門 |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 23 毫歐 @ 21A, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 42A |
Id 時的 Vgs(th)(最大) : | - |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 40nC @ 10V |
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) : | 2100pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 1.5W |
安裝類型 : | 表面貼裝 |
封裝/外殼 : | 8-VDFN 裸露焊盤 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝 : | 8-HVSON |
包裝 : | 剪切帶 (CT) |