分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Renesas Electronics America/NEC - UPA2680T1E-E2-AT - MOSFET/SCHOTTKY N-CH 20V 6-MLP
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 3,000 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 二極管（隔離式） |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 50 毫歐 @ 3A, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 3A |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 3.1nC @ 4.5V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 190pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 1.3W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 6-VDFN 裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 6-MLP (3x3) |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
