分離式半導體 - MOSFETs - 陣列 - Renesas Electronics America/NEC - UPA1790G-E1-AT - MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
PDF查詢| 標準包裝 ： | 2,500 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 1A, 700mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 260 毫歐 @ 500mA, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | - |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 8nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 2W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 8-SOIC (0.173", 4.40mm 寬) |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 8-PSOP |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
