分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Vishay/Siliconix - SQ2360EES-T1-GE3 - MOSFET N-CH D-S 60V TO236
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 3,000 |
| 系列 ： | TrenchFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 邏輯電平門 |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 85 毫歐 @ 6A, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 4.4A |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 12nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 370pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 3W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
