分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation - SCH1301-TL-E - MOSFET P-CH 12V 2.4A SCH6
PDF查詢(xún)| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | SCH6 Package P-Channel & N-Channel Top |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 12V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 2.4A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 120 毫歐 @ 1.3A, 4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | - |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 6.5nC @ 4.5V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 450pF @ 6V |
| 功率 - 最大 ： | 800mW |
| 安裝類(lèi)型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 6-SMD, 扁平引線 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 6-SCH |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
