分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Rohm Semiconductor - R6006ANX - MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 500 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 6A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 1.2 歐姆 @ 3A, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 4.5V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 15nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 520pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 40W |
| 安裝類型 ： | 通孔 |
| 封裝/外殼 ： | TO-220-3 整包 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | TO-220FM |
| 包裝 ： | 散裝 |
