分離式半導體 - 陣列 - ON Semiconductor - NST857BDP6T5G - TRANSISTOR PNP DUAL GP SOT-963
PDF查詢| 產(chǎn)品變化通告 ： | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 標準包裝 ： | 8,000 |
| 系列 ： | - |
| 晶體管類型 ： | 2 PNP（雙） |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大） ： | 100mA |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） ： | 45V |
| Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大） ： | 700mV @ 5mA, 100mA |
| 電流 - 集電極截止（最大） ： | - |
| 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE) ： | 220 @ 2mA, 5V |
| 功率 - 最大 ： | 350mW |
| 頻率 - 轉(zhuǎn)換 ： | 100MHz |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | SOT-963 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | SOT-963 |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
