分離式半導體 - MOSFET - 單 - Renesas Electronics America/NEC - NP90N055VDG-E1-AY - MOSFET N-CH 55V 90A TO-252
PDF查詢| 標準包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 55V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 90A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 6 毫歐 @ 45A, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 135nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 1.2W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-252-3, DPak (2 引線+接片), SC-63 |
| 供應商設備封裝 ： | TO-252 |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
