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分離式半導體 - MOSFET - 單 - Renesas Electronics America/NEC - NP80N06MLG-S18-AY - MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
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NP80N06MLG-S18-AY|Renesas Electronics America/NEC
聲明:圖片僅供參考,請以實物為準!
NP80N06MLG-S18-AY
制造商型號: NP80N06MLG-S18-AY
制造商: Renesas Electronics America/NEC
描述: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
技術參考: Rohs PDF查詢
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詳細參數(shù)
標準包裝 : 500
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點 : 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss) : 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : 80A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 8.6 毫歐 @ 40A, 10V
Id 時的 Vgs(th)(最大) : 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs : 128nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) : 6900pF @ 25V
功率 - 最大 : 1.8W
安裝類型 : 通孔
封裝/外殼 : TO-220-3
供應商設備封裝 : TO-220-3
包裝 : 管件

旗下站點www.szcwdz.com相關詳細信息: NP80N06MLG-S18-AY
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