分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Renesas Electronics America/NEC - NP36P06KDG-E1-AY - MOSFET P-CH -60V -36A TO-263
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 邏輯電平門 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 29.5 毫歐 @ 18A, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 36A |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 2.5V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 54nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 3100pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 1.8W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引線+接片), TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | TO-263 |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
