分離式半導(dǎo)體 - RF 晶體管 (BJT) - CEL - NE58219-A - TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| 晶體管類型 ： | NPN |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） ： | 12V |
| 頻率 - 轉(zhuǎn)換 ： | 5GHz |
| 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率） ： | - |
| 增益 ： | - |
| 功率 - 最大 ： | 100mW |
| 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE) ： | 60 @ 5mA, 5V |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大） ： | 60mA |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | SC-75, SOT-416 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | - |
| 包裝 ： | 散裝 |
