分離式半導(dǎo)體 - MOSFETs - 陣列 - SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation - MCH6626-TL-E - MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6
PDF查詢| 產(chǎn)品目錄繪圖 ： | MCPH3 Package - P, N & N/P Channel Top |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點(diǎn) ： | 邏輯電平門 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 230 毫歐 @ 800mA, 4V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 1.6A, 1A |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | - |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 1.4nC @ 4V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 105pF @ 10V |
| 功率 - 最大 ： | 800mW |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | 6-MCPH |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | 6-MCPH |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
