分離式半導體 - JFET 結(jié)點場效應 - NXP Semiconductors - J177,126 - JFET P-CHAN 30V SOT23-3
PDF查詢| 標準包裝 ： | 2,000 |
| 系列 ： | - |
| 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0) ： | 1.5mA @ 15V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 30V |
| 漏極電流 (Id) - 最大 ： | - |
| FET 型 ： | P 溝道 |
| 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS) ： | 30V |
| 電壓 - 切斷 (VGS 關）@ Id ： | 800mV @ 10nA |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 8pF @ 10V (VGS) |
| 電阻 - RDS（開） ： | 300 歐姆 |
| 安裝類型 ： | 通孔 |
| 包裝 ： | 帶盒 (TB) |
| 封裝/外殼 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供應商設備封裝 ： | TO-236AB |
| 功率 - 最大 ： | 400mW |
