分離式半導(dǎo)體 - JFET 結(jié)點(diǎn)場效應(yīng) - NXP Semiconductors - J113,126 - IC JFET N-CH 40V 2MA TO92-3
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0) ： | 2mA @ 15V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 40V |
| 漏極電流 (Id) - 最大 ： | - |
| FET 型 ： | N 溝道 |
| 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS) ： | 40V |
| 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id ： | 500mV @ 1µA |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 6pF @ 10V (VGS) |
| 電阻 - RDS（開） ： | 100 歐姆 |
| 安裝類型 ： | 通孔 |
| 包裝 ： | 剪切帶 (CT) |
| 封裝/外殼 ： | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成形引線 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 ： | 400mW |
