半導(dǎo)體模塊 - FET - IXYS - IXTN550N055T2 - MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 30 |
| 系列 ： | TrenchT2™ GigaMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 55V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 550A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 1.3 毫歐 @ 100A, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 595nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 40000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 940W |
| 安裝類型 ： | 底座安裝 |
| 封裝/外殼 ： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | SOT-227B |
| 包裝 ： | 管件 |
