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半導(dǎo)體模塊 - IGBT - IXYS - IXGN82N120C3H1 - IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B
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IXGN82N120C3H1|IXYS
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IXGN82N120C3H1
制造商型號(hào)： IXGN82N120C3H1
制造商： IXYS
描述： IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B
技術(shù)參考： Rohs PDF查詢
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詳細(xì)參數(shù)
標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： 10
系列 ： GenX3™
IGBT 類型 ： -
配置 ： 單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） ： 1200V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開） ： 3.9V @ 15V, 82A
電流 - 集電極 (Ic)（最大） ： 130A
電流 - 集電極截止（最大） ： 50µA
Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies) ： 7.9nF @ 25V
功率 - 最大 ： 595W
輸入 ： 標(biāo)準(zhǔn)型
NTC 熱敏電阻 ： 無(wú)
安裝類型 ： 底座安裝
封裝/外殼 ： SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： SOT-227B

旗下站點(diǎn)www.szcwdz.com相關(guān)詳細(xì)信息: IXGN82N120C3H1
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