半導(dǎo)體模塊 - FET - IXYS - IXFN132N50P3 - MOSFET N-CH 500V 112A SOT227
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 10 |
| 系列 ： | Polar3™ HiPerFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 500V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 112A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 39 毫歐 @ 66A, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 5V @ 8mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 250nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 18600pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 1500W |
| 安裝類(lèi)型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | SOT-227-4 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | SOT-227B |
| 包裝 ： | 管件 |
