分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - IXYS - IXFB50N80Q2 - MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 25 |
| 系列 ： | HiPerFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 800V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 50A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 160 毫歐 @ 500mA, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 5.5V @ 8mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 260nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 7200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 890W |
| 安裝類型 ： | 通孔 |
| 封裝/外殼 ： | TO-264-3, TO-264AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | PLUS264™ |
| 包裝 ： | 管件 |
