分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - IXYS - IXFB30N120P - MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 25 |
| 系列 ： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 30A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 350 毫歐 @ 500mA, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 6.5V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 310nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 22500pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 1250W |
| 安裝類型 ： | 通孔 |
| 封裝/外殼 ： | TO-264-3, TO-264AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | PLUS264™ |
| 包裝 ： | 管件 |
