分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - IXYS - IXFB100N50Q3 - MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 25 |
| 系列 ： | HiPerFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 49 毫歐 @ 50A, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 500V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 100A |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 6.5V @ 8mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 255nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 20000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 1560W |
| 安裝類型 ： | * |
| 封裝/外殼 ： | * |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | * |
| 包裝 ： | * |
