分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - IXYS - IXFA4N100P - MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
PDF查詢| 標準包裝 ： | 50 |
| 系列 ： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 標準型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 1000V (1kV) |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 4A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 3.3 歐姆 @ 500mA, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 26nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 1456pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 150W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-263-3, D²Pak (2 引線+接片), TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | TO-263 (D2Pak) |
| 包裝 ： | 管件 |
