分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Vishay/Siliconix - IRFR2605TRL - MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 3,000 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 55V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 19A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 85 毫歐 @ 11A, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | - |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 23nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 420pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 3.1W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-252-3, DPak (2 引線+接片), SC-63 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | D-Pak |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
