分離式半導體 - MOSFET - 單 - Vishay Siliconix - IRFL210TR - MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
PDF查詢| 標準包裝 ： | 2,500 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點 ： | 標準型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 200V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 960mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 1.5 歐姆 @ 580mA, 10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 8.2nC @ 10V |
| 在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ： | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 2W |
| 安裝類型 ： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 ： | TO-261-4, TO-261AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | SOT-223 |
| 包裝 ： | 帶卷 (TR) |
