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分離式半導體 - MOSFET - 單 - Vishay Siliconix - IRFIBE30G - MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
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Vishay Siliconix
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IRFIBE30G
- MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
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聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！
IRFIBE30G
制造商型號：
IRFIBE30G
制造商：
Vishay Siliconix
描述：
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
技術參考：
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所在地：
深圳全新原裝現(xiàn)貨
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400-900-3095, QQ:
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sales@szcwdz.com
由于產(chǎn)品數(shù)據(jù)庫龐大，部分產(chǎn)品信息可能未能及時更新，下單前請與銷售人員確認好實時在庫數(shù)量，謝謝合作！
詳細參數(shù)
標準包裝 ：
1,000
系列 ：
-
FET 型 ：
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點 ：
標準型
漏極至源極電壓(Vdss) ：
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ：
2.1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ：
3 歐姆 @ 1.3A, 10V
Id 時的 Vgs(th)（最大） ：
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs ：
78nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：
1300pF @ 25V
功率 - 最大 ：
35W
安裝類型 ：
通孔
封裝/外殼 ：
TO-220-3 全封裝，隔離接片
供應商設備封裝 ：
TO-220-3
包裝 ：
管件
旗下站點
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相關詳細信息:
IRFIBE30G
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詢價
*所需產(chǎn)品：
型號: IRFIBE30G 品牌: Vishay Siliconix 備注: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
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