分離式半導(dǎo)體 - MOSFET - 單 - Vishay/Siliconix - IRFIB5N65A-38 - MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 ： | 50 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn) ： | 標(biāo)準(zhǔn)型 |
| 漏極至源極電壓(Vdss) ： | 650V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C ： | 5.1A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 930 毫歐 @ 3.1A, 10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs ： | 48nC @ 10V |
| 在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ： | 1417pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 60W |
| 安裝類(lèi)型 ： | 通孔 |
| 封裝/外殼 ： | TO-220-3 全封裝，隔離接片 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 ： | TO-220-3 |
| 包裝 ： | 管件 |
